首页
特高频局部放电检测时外置式传感器对全金属封闭的电力设备无法实施检测
精华吧
→
答案
→
综合知识
特高频局部放电检测时外置式传感器对全金属封闭的电力设备无法实施检测
A、正确
B、错误
正确答案：A
Tag：
电校培训
传感器
局部
时间：2024-07-24 10:59:52
上一篇：
GIS中局放产生的特高频信号在壳体内传播时，在经过隔离开关及断路器等不连续点后衰减最严重
下一篇：
利用A、B两个特高频传感器对GIS内部缺陷进行定位，A传感器先于B传感器25ns收到信号，若两个传感器之间距离为10米，则缺陷位置在AB之间距B7.75米
相关答案
1.
在GIS特高频局放检测中，测得的放电信号强度与局部视在放电量无关
2.
内外置特高频局放传感器在检测方面最大的区别是灵敏度不同
3.
对三相分箱式GIS进行局部放电检测，脉冲信号集中在正半波峰值处，则缺陷是罐体上的尖端放电
4.
在GIS中，悬浮金属体与电极之间的距离减小时，其产生的局部放电特高频信号幅值的变化趋势是随之减小
5.
在GIS中引起局部放电特高频电磁波衰减最大的因素是盆式绝缘子处的泄漏损耗
6.
特高频局部放电检测幅值定位法可以进行故障精确定位
7.
高压电缆本体不宜应用特高频法进行局放检测
8.
特高频放电检测过程中不需要电压同步信号
9.
特高频信号在GIS中传播时发生衰减，若特高频局放信号幅值为400mV，传播至某处时信号衰减12dB，则该处信号幅值应为200mV
10.
软母线或引流线有断股，截面损失达25％以上或不满足母线短路通流要求时,应立即汇报值班调控人员申请停运，停运前应远离设备。
热门答案
1.
电压互感器竣工（预）验收验收发现质量问题时，验收人员及时告知制造厂家、施工单位，提出整改意见，填入“竣工（预）验收及整改记录”，报送运检部门
2.
独立避雷针导通电阻大于500mΩ时应进行校核测试其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试，应不大于200mΩ且初值差不大于50%
3.
独立避雷针导通电阻低于300mΩ时应进行校核测试，其他部分导通电阻大于60mΩ时应进行校核测试
4.
独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试
5.
独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试，应不大于200mΩ且初值差不大于50%
6.
端子箱电缆芯绝缘层外观无破损，备用电缆芯线不处理
7.
端子箱及检修电源箱每半年进行一次箱体的检查维护
8.
断路器的额定短路开断电流远大于安装地点的母线短路电流，在开断短路故障后，禁止强送，并停用自动重合闸，严禁就地操作
9.
断路器发生控制回路断线时检查项目包括检查机构箱或汇控柜上刀闸“远方/就地把手”位置是否正确
10.
断路器机构箱、汇控柜应设置可自动投切的加热驱潮装置，低温地区还应有保温措施，对于不满足当地最低环境温度要求的混合气体断路器、罐式断路器罐体及气动机构及其联接管路应加装加热带