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IGBT是电力MOSFET和（）的复合器件，因而具有良好的特性。
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IGBT是电力MOSFET和（）的复合器件，因而具有良好的特性。
A.晶闸管
B.GTR
C.GTO
D.二极管
正确答案：B
Tag：
晶闸管
器件
特性
时间：2024-06-29 16:17:55
上一篇：
有源逆变电路，负载中电动势的极性应与晶闸管的导通方向一致，其值应大于交流电路直流侧的平均电压，另外α角的要求是（）。
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三相半波全控整流电路，电阻性负载，控制角α的移相范围是（）。
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晶闸管单相电流逆变器的换流方式为.（）
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