下列关于绝缘栅双极晶体管IGBT描述错误的是（）

A、IGBT是MOSFET与GTR复合器件，也是电流控制型器件，驱动功率大而饱和压降高

B、IGBT是MOSFET与GTR复合器件，综合了两者优点，即驱动功率较小，通流能力较大，同时保持开关频率较高的特点

C、IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，俗称电力电子装置的“CPU”，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广

D、IGBT内部结构中由于存在寄生晶体管，因此当集电极电流过大或电流变化过大时，即使撤销触发信号也无法关断，即存在擎住或自锁效应。

正确答案：IGBT是MOSFET与GTR复合器件，也是电流控制型器件，驱动功率大而饱和压降高