以下选项中，可以降低氧化层错现象发生概率的是（）
A、提高热氧化的温度
B、在硅片背面引入缺陷
C、控制好氧化炉内部温度
D、采用掺氯氧化和吸杂技术
正确答案：在硅片背面引入缺陷|采用掺氯氧化和吸杂技术
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