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为了提高单片机电路的EMI（电磁干扰）性能，应该采取的措施是？
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为了提高单片机电路的EMI（电磁干扰）性能，应该采取的措施是？
A、减小去耦电容的值
B、增大走线的间距
C、降低电源电压
D、提高系统的时钟频率
正确答案：增大走线的间距
Tag：
间距
单片机
电容
时间：2024-05-22 10:31:20
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