下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有（）
A、电力MOSFET存在二次击穿问题
B、IGBT开关速度高于电力MOSFET
C、IGBT是电流驱动型器件
D、IGBT综合了GTR和MOSFET的优点
正确答案：IGBT综合了GTR和MOSFET的优点
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