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当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）（选择填空：增大，减小）。
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当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）（选择填空：增大，减小）。
正确答案：减小|减小
Tag：
宽度
电压
高度
时间：2024-05-06 22:41:46
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当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）（选择填空：增大，减小）。
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一个三极管放大电路，静态电流IB=60μA，IC=2mA，β值为50，则此时该三极管处于（）状态。
相关答案
1.
当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）（选择填空：多，少）。
2.
PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。（选择填空，电子扩散，空穴扩散，势垒区复合，势垒区产生）
3.
PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。（选择填空：多子，少子）
4.
当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
5.
室温下硅PN结的反向饱和电流密度J0值约为10-10A/cm2的数量级，禁带宽度EG降低，J0值（），正向导通电压VF（）；温度降低，J0值（），因此，J0具有（）温度系数。（选择填空：增大，减小，正，负）
6.
在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。
7.
薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（）。
8.
反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
9.
反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的种类、掺杂浓度和温度。半导体材料的禁带宽度越大，则ni越大，反向饱和电流就越大。
10.
正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现复合占优。
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1.
有向欧拉图一定是强连通图.
2.
无向强连通图一定是欧拉图.
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