对于“热氧化工艺中掺入Cl元素”说法正确的是（）
A、Cl2可以中和掉界面处和氧化物表面处的电荷堆积
B、由于氧化层的阻挡，Cl离子很难扩散到正电荷层，因此需要增加反应炉的压力
C、虽然Cl2可以中和多余的电荷，但是由于Cl2冲淡了O2，使氧化速率降低
D、HCl（气）和Cl2都是可以被用来引入Cl元素的反应气体
正确答案：HCl（气）和Cl2都是可以被用来引入Cl元素的反应气体
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