首页
轻掺杂为B的Si,其电阻率随温度升高变化过程为()
精华吧
→
答案
→
网课
轻掺杂为B的Si,其电阻率随温度升高变化过程为()
A、单调上升
B、不变
C、先减小后增大再减小
D、单调下降
正确答案:先减小后增大再减小
Tag:
电阻率
温度
过程
时间:2024-04-16 10:54:34
上一篇:
加氢处理催化剂的作用是()。
下一篇:
一台额定电流为100A的发动机,如果只接了60A的照明负载,其实际输出电流就是60A。()
相关答案
1.
掺入砷化镓不能表现双性行为的杂质元素是()。
2.
加氢精制脱硫、脱氧、脱氮反应难易顺序是()。
3.
B原子掺杂进硅半导体,电离能够释放空穴和形成()
4.
下列烃类中相同碳原子数凝点最高的是()。
5.
锗晶体中,空隙占据晶体的百分数是()。
6.
加氢精制反应特点包括()。
7.
一般都用()的半导体材料来制造平面器件。
8.
加氢精制过程中三氧化二铝所起的作用包括()。
9.
元素磷原子在硅半导体中形成替位杂质,电离后释放电子并形成()
10.
催化剂失活包括哪些类型()。
热门答案
1.
室温下,P在硅晶体中的电离能是()eV。
2.
元素半导体硅是金刚石晶体,该晶体原子只占有晶胞体积的()
3.
教育学原理要教授和学习什么?
4.
教育学研究的教育活动包括哪些?
5.
马克思主义在我们学习和研究教育学过程中的指导作用有哪些表现?
6.
哌仑西平属于下列哪种药物?
7.
阿托品应用注意事项有:
8.
下列哪些药物可用于麻醉前给药?
9.
比较典型的教育起源观点有那三种
10.
对防水的描述,下列哪项错误()