干-湿-干氧化过程中,第一次干氧氧化的目的是()。


干-湿-干氧化过程中,第一次干氧氧化的目的是()。

A、形成所需的二氧化硅膜厚

B、获得致密的二氧化硅表面

C、提高二氧化硅和光刻胶的黏附性

D、改善二氧化硅和硅交界面的性能

正确答案:获得致密的二氧化硅表面


Tag:表面 光刻 界面 时间:2024-04-13 12:13:17