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电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。（）
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电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
电力电子技术
电力
时间：2024-01-11 10:03:57
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电力晶体管GTR存在二次击穿的问题。（）
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改变开关管VT在一个开关周期中的导通时间TS，即改变导通占空比D，即可改变电压比M。（）
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电力场效应管的三个电极分别为源极、漏极和栅极。（）
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IGBT有三个电极，分别为基极B、集电极C和发射极E。（）
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电力晶体管GTR属于双极型器件，电力场效应管属于单极型器件。（）
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GTO具有四层的PNPN结构。（）
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三相半控桥式整流电路只用了3个晶闸管，只需3套触发电路。（）
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三相半控桥式整流电阻性负载电路和电感性负载电路的整流输出电压波形相同。（）
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三相全控桥式整流电感性负载电路α大于60°时，整流电路输出电压的波形出现负面积。（）
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三相全控桥式整流电阻性负载电路实质上是由一组共阴极组与一组共阳极组的三相半波整流电路相串联构成的。（）
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三相半波可控整流电阻性负载电路α的取值范围为0～150度。（）
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三相半波可控整流电路的电源由三相整流变压器供电，也可直接由三相四线制交流电网供电。（）
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单相桥式半控整流电路α的移相范围为0～180度。（）
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触发延迟角用θ表示，导通角用α表示。（）
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当晶闸管承受正向阳极电压，门极加上反向触发电压，晶闸管不导通。（）
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当晶闸管承受正向阳极电压，门极加上正向触发电压，晶闸管导通。（）