B.错误

正确答案：错误

8、离子键性可以由两个原子的电负性决定。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

9、在四方晶系中，（100）面必定与（110）面相交成45°角。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

10、鲍林规则适用于所有晶体结构。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

第三章单元测试

1、高温时材料中的点缺陷是发生蠕变的重要原因。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

2、不论是刃型位错还是螺型位错都可以攀移。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

3、位错只有在某些固定晶面和固定晶向上才能滑移。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

4、具有平衡数目点缺陷时的晶体与无缺陷的理想晶体相比自由能

A.更高

B.更低

C.一样

D.无法确定

正确答案：更低

5、晶体的实际滑动方向取决于

A.位错线运动方向

B.柏氏矢量方向

C.位错线方向

D.位错线法线方向

正确答案：柏氏矢量方向

6、位错运动时原子的实际运动距离

A.小于位错运动距离

B.大于位错运动距离

C.等于位错运动距离

D.无法确定

正确答案：小于位错运动距离

7、晶体中的点缺陷将使材料的性能发生变化，包括

A.电阻减小

B.密度下降

C.体积膨胀

D.塑性提高

正确答案：密度下降；体积膨胀

8、关于位错密度与晶体材料，以下说法正确的是

A.退火后位错密度较低，晶体强度也较低

B.点缺陷的产生冷变形后位错密度升高，晶体强度更低使熵增加

C.点缺陷的产生使自由能增加冷变形后位错密度升高，强度反而升高

D.位错极少的晶须强度很高。

正确答案：退火后位错密度较低，晶体强度也较低；点缺陷的产生使自由能增加冷变形后位错密度升高，强度反而升高；位错极少的晶须强度很高。

9、当材料中有一些点缺陷且超过平衡数时，以下说法正确的是

A.点缺陷的产生使内能增加

B.点缺陷的产生使熵增加

C.点缺陷的产生使自由能增加

D.点缺陷的产生使自由能下降。

正确答案：点缺陷的产生使内能增加；点缺陷的产生使熵增加；点缺陷的产生使自由能增加

10、判断以下位错能否发生。

。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

第四章单元测试

1、只有晶体结构相同的两种物质之间才能形成无限固溶体。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

2、固溶体中原子偏聚主要取决于固溶体中同类原子结合能与异类原子结合能的相对大小。当同类原子结合能大于异类原子结合能时，溶质原子倾向于偏聚。

A.正确

B.错误

正确答案：正确

3、共晶转变就是一种成分的固相同时转变为另外两种不同成分固相的转变。

A.正确

B.错误

正确答案：错误

4、纯铁的塑性韧性好，但强度硬度高，可以用作结构材料。