对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（）
对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（）
A.IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO
B.GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题
C.GTO的电压、电流容量大，但其关断增益也很大
D.电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂
正确答案：IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO#GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题#电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂