下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
正确答案：IGBT是电压驱动型器件；IGBT具有擎住效应
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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
正确答案：IGBT是电压驱动型器件；IGBT具有擎住效应