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金属氧化物ZnO中，由于金属离子过剩形成间隙离子缺陷，通常表示（）。
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金属氧化物ZnO中，由于金属离子过剩形成间隙离子缺陷，通常表示（）。
正确答案：为Zn1+xO
Tag：
材料物理性能
离子
金属
时间：2022-01-28 14:39:56
上一篇：
对于价控型半导体，可以通过改变（），获得不同的电性能。
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一般材料的介质损耗，在高温、低频下，主要为（）
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BaTiO3的半导化常通过添加微量的稀土元素形成（）。
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杂质对半导体性能的影响是由于杂质离子引起的（）造成。
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含钛瓷在还原气氛下，将形成p型半导体。
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FeO在氧化气氛下，形成n型半导体。
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根据能带理论，晶体中并非所有电子，也并非所有的价电子都参与导电，只有（）才能参与导电。
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掺杂浓度和温度对μ的影响，本质上是对载流子（）的影响。
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掺入施主杂质的半导体称为n型半导体，杂质能级离价带很近。
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掺入受主杂质的半导体称为p型半导体，杂质能级离导带很近。
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在低掺杂半导体中，μ随T升高而大幅度下降；在高掺杂时，迁移率随温度变化较小。
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陶瓷材料中电子电导比较显著的主要是（）。
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杂质电导是由（）的运动造成的。
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本征电导是指以（）作为载流子的电导。
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含有杂质的电解质的电导主要是杂质电导。
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只有离子晶体才能成为固体电解质。
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离子晶体NaCl中的载流子为Na+离子和Cl-离子。
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下列说法正确的是（）。A.只有离子晶体才能成为固体电解质。
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离子的迁移伴随着一定的（）变化，离子在电极附近发生电子的得失而形成新的物质，这就是电解现象。
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对于均匀导体，电流强度和电压的关系服从（）定律。
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离子电导不呈现霍尔效应。
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电导率的大小反映物质输送电流的能力。