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BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结（），集电结（）。
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BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结（），集电结（）。
A.正偏，反偏
B.反偏，正偏
C.零偏，正偏
D.反偏，零偏
正确答案：正偏，反偏
Tag：
模拟电子技术
电压
作用
时间：2022-01-04 21:07:30
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共射放大电路与共源放大电路相比
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当温度升高时，BJT集电极电流（）。
相关答案
1.
可充当电压跟随器的是哪一种放大电路。（）
2.
设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
3.
设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
4.
设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
5.
场效应管仅靠一种载流子导电。
6.
增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
7.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
8.
作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
9.
MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。
10.
小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。
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1.
放大电路的静态是指输入端短路时的状态。
2.
当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
3.
用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻（）。
4.
P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）。
5.
N沟道场效应管的漏极电流由（）的漂移运动形成。
6.
场效应管利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小，因此它是（）控制器件。
7.
在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。
8.
通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
9.
二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。
10.
对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。