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不能发生攀移运动的位错是（）。
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不能发生攀移运动的位错是（）。
A.肖克莱不全位错
B.弗兰克不全位错
C.刃型全位错
D.不确定
正确答案：A
Tag：
材料科学基础
克莱
发生
时间：2021-05-14 14:45:45
上一篇：
能易于进行交滑移的位错是（）。
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（），位错滑移的派－纳力越小。
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1.
两个平行同号螺型位错，其相互作用力（）。
2.
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
3.
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（）。
4.
位错数量很大，所以材料中原子排列是无序的。
5.
在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这种缺陷称为（）。
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在一定温度下具有一定平衡浓度的缺陷是（）。
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相同条件下，高熔点金属形成的空位数量比低熔点金属形成的空位数量少。
8.
（）可以产生过饱和空位。
9.
材料的熔点越高，空位的形成能和迁移能也越大。
10.
在A-B二元固溶体中，A-B对的能量小于A-A和B-B对的平均能量，该固溶体最容易形成（）。
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1.
铜与镍可以形成无限固溶体。
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由于在bcc的铁中致密度比fcc的铁的低，也就是间隙体积多，所以碳原子在bcc铁中固溶度比在fcc铁中固溶度大。
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碳原子只能与铁原子形成化合物。
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一个金属元素与一个非金属元素容易形成固溶体。
5.
间隙固溶体中间隙原子可以无限固溶得到固溶度为100%的无限固溶体。
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铜和镍属于异质同构。
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一个bcc晶胞中的原子个数为（）个。
8.
一个fcc晶胞的原子中的原子个数为（）个。
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晶带是与过某个晶向或与其平行的所有晶面，这个晶向称为晶带轴。若晶带轴指数为［uvw］，则［uvw］与晶带中的一个晶面（hkl）这两个指数之间点积，［uvw］·（hkl）等于（）。
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bcc晶胞的密排面是（），密排方向分别是（）。