关于化学位移(d),下列表述正确的是:
关于化学位移(d),下列表述正确的是:
A、核外电子云密度越大,核蔽的屏蔽作用越强,共振峰出现在低场高频区
B、核外电子产生抗磁性位移,属于去屏蔽效应
C、苯环上的H核吸收峰出现在高场,δ值较大
D、碳碳叁键上的H核处于屏蔽区,共振信号移向较高的磁场
正确答案:碳碳叁键上的H核处于屏蔽区,共振信号移向较高的磁场
关于化学位移(d),下列表述正确的是:
A、核外电子云密度越大,核蔽的屏蔽作用越强,共振峰出现在低场高频区
B、核外电子产生抗磁性位移,属于去屏蔽效应
C、苯环上的H核吸收峰出现在高场,δ值较大
D、碳碳叁键上的H核处于屏蔽区,共振信号移向较高的磁场
正确答案:碳碳叁键上的H核处于屏蔽区,共振信号移向较高的磁场
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